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石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102156116A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-08-17, 2012-08-29
发明人:  谭平恒;  赵伟杰;  韩文鹏;  历巧巧;  姬扬
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在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  王思亮;  俞学哲;  王海龙
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具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  朱礼军
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一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人:  赵建华;  潘东
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适用于温度传感器的可编程开关电容积分器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
发明人:  谷永胜;  吴南健;  赵柏秦;  冯鹏
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用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  赵建华;  王海龙
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测量土壤含水量和温度的装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王志勇;  丁时栋;  李贵柯;  吴南健;  赵柏秦
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户外免维护多功能无线传感器网络网关 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  谢刚;  丁时栋;  李贵柯;  赵柏秦;  吴南健
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基于SPI模式的可热插拔SD卡数据记录仪及相应的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  谢刚;  丁时栋;  李贵柯;  赵柏秦;  吴南健
Adobe PDF(688Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:572/0  |  提交时间:2016/09/28
立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  潘东;  赵建华
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