空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置及方法
朱建军; 杨 辉; 王怀兵 
2009-06-03
专利权人中科院半导体研究所
公开日期3996
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2007-11-28
语种中文
专利状态公开
申请号CN200710178282
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9146
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
朱建军,杨 辉,王怀兵 . 空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置及方法[P]. 2009-06-03.
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