Si(111)衬底上GaN外延层的MOCVD生长与性质研究
伍墨
学位类型硕士
导师杨辉
2004
学位授予单位中国科学院半导体研究所
学位授予地点北京
学科领域微电子学与固体电子学
语种中文
公开日期2009-04-13 ; 2009-07-09
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5323
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
伍墨. Si(111)衬底上GaN外延层的MOCVD生长与性质研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2004.
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