具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法
韩伟华; 杨香
2009-02-04
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2007-08-01
语种中文
申请号CN200710119834.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4287
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
韩伟华,杨香. 具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法[P]. 2009-02-04.
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