提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法
赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
2008-01-09
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-08-17
语种中文
申请号200610111261
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3929
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
赵德刚,杨辉,梁骏吾,等. 提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法[P]. 2008-01-09.
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