InGaN厚膜的生长与物性表征
柴若皓
学位类型硕士
2022-06
学位授予单位中国科学院大学
学位授予地点中国科学院半导体研究所
语种中文
公开日期2022-06
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31139
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
柴若皓. InGaN厚膜的生长与物性表征[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2022.
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GK2022046-硕士-材料重点实验室(2396KB)学位论文 限制开放CC BY-NC-SA请求全文
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