SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法
许兴胜; 黄昕楠; 高永浩; 黎星云
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-28
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2015-02-13
申请号CN201510079793.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27587
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
许兴胜,黄昕楠,高永浩,等. 基于氧化锌键合III-V族和硅混合型激光器结构和方法.
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