SEMI OpenIR  > 固态光电信息技术实验室
石墨烯场效应器件的制备方法
尹伟红; 王玉冰; 韩勤; 杨晓红
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2015-07-15
申请号CN201510416974.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27498
专题固态光电信息技术实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
尹伟红,王玉冰,韩勤,等. 石墨烯场效应器件的制备方法.
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石墨烯场效应器件的制备方法.pdf(814KB) 限制开放使用许可请求全文
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