SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种集成半导体激光器的制备方法
杨成奥; 张宇; 廖永平; 徐应强; 牛智川
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2015-09-23
申请号CN201510612638.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27426
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
杨成奥,张宇,廖永平,等. 一种集成半导体激光器的制备方法.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
一种集成半导体激光器的制备方法.pdf(779KB) 限制开放使用许可请求全文
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