一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品
王晓亮; 闫俊达; 李百泉; 王权; 肖红领; 冯春; 殷海波; 姜丽娟; 邱爱芹; 介芳
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2015-12-08
申请号CN201510892854.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27361
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓亮,闫俊达,李百泉,等. 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品.
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