SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法
赵丹梅; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-02
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-07-16
申请号CN201410337785.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27351
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
赵丹梅,赵德刚,江德生,等. 一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法.
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