SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
李密锋; 喻颖; 贺继方; 査国伟; 尚向军; 倪海桥; 贺振宏; 牛智川
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请号CN201310088301.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27210
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李密锋,喻颖,贺继方,等. 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法.
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长(1151KB) 限制开放使用许可请求全文
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