SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法
裴洋; 夏建白; 李京波
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-07-23
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2013-05-04
申请号CN201410183663.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25669
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
裴洋,夏建白,李京波. TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法.
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