在Si基上制备InP基HEMT的方法
李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-06-05
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-02-27
申请号CN201310061105.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25559
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李士颜,周旭亮,于鸿艳,等. 在Si基上制备InP基HEMT的方法.
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