SEMI OpenIR  > 全固态光源实验室
一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法
林学春; 高文焱; 赵树森; 王奕博; 刘发兰; 周春阳
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-10-02
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-07-10
申请号CN201310288716.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25548
专题全固态光源实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
林学春,高文焱,赵树森,等. 一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法.
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一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法.pd(1419KB) 限制开放使用许可请求全文
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