SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法
曹中祥; 吴南健; 周杨帆; 李全良
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-07-04
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2012-01-17
申请号CN201210014840.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25393
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
曹中祥,吴南健,周杨帆,等. CMOS图像传感器的像素单元及其制作方法.
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