SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
基于非线性偏振旋转效应的全光微波倍频器
郑建宇; 祝宁华; 刘建国; 王礼贤; 梁洪刚
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-07-18
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2012-02-03
申请号CN201210024474.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25388
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
郑建宇,祝宁华,刘建国,等. 基于非线性偏振旋转效应的全光微波倍频器.
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基于非线性偏振旋转效应的全光微波倍频器.(504KB) 限制开放使用许可请求全文
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