SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
制作倒装高电压交直流发光二极管的方法
田婷; 詹腾; 张逸韵; 郭金霞; 李璟; 伊晓燕; 刘志强; 王国宏
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-01-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-10-22
申请号CN201210405495.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25324
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
田婷,詹腾,张逸韵,等. 制作倒装高电压交直流发光二极管的方法.
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