SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法
何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-10-10
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2012-04-16
申请号CN201210110576.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25309
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
何志,张峰,樊中朝,等. 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法.
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沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法.p(428KB) 限制开放使用许可请求全文
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