SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法
谢海忠; 张扬; 杨华; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-03-13 ; 2013-03-13
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-11-30
申请号CN201210505932.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25188
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
谢海忠,张扬,杨华,等. 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法.
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氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法(335KB) 限制开放使用许可请求全文
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