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发光二极管封装结构; 发光二极管封装结构
杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种发光二极管封装结构,包括:一绝缘衬底的两侧开有通孔,并填充有导电金属;一n型层制作在绝缘衬底上,其上开有一孔,并填充有导电金属;一有源层制作在n型层上;一p型层制作在有源层上;一隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面;一p电极覆盖隔离层,并覆盖部分p型层的上表面;一n电极制作在n型层上面的一侧,与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接;一第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧,该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接;一第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧,该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接;前述各部分形成器件的基底;一光学元件封装于基底上,完成器件的制作。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号CN102255034A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110198226.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23505
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杨华,卢鹏志,谢海忠,等. 发光二极管封装结构, 发光二极管封装结构. CN102255034A.
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