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一种制备铌酸锂表面图形的方法; 一种制备铌酸锂表面图形的方法
郑婉华; 齐爱谊; 王海玲; 渠红伟
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法,该方法包括:在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形;采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀,以刻蚀铌酸锂;采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀,以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂;重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤,直至完成铌酸锂表面图形的制备。利用本发明,解决了氟基等离子刻蚀铌酸锂时表面再沉积氟化锂的问题,达到制备大深度、底面光滑铌酸锂表面图形的目的。本方法简单易用,可以用于铌酸锂的刻蚀,获得大深度、底面光滑的铌酸锂表面图形。
部门归属纳米光电子实验室
专利号CN102304767A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110245639.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23449
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郑婉华,齐爱谊,王海玲,等. 一种制备铌酸锂表面图形的方法, 一种制备铌酸锂表面图形的方法. CN102304767A.
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