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多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法; 多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法
韩伟静; 俞育德; 李运涛; 任鲁风; 周晓光; 于军; 孙英男
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底,清洗,去除有机和无机杂质;步骤2:前烘,对衬底进行真空干燥;步骤3:在经过真空干燥的衬底表面蒸镀铝膜;步骤4:将表面镀有铝膜的衬底放入电解液中,进行第一次阳极氧化;步骤5:将第一次阳极氧化的衬底用磷酸和铬酸混合液浸泡,去除第一次阳极氧化产生的氧化铝膜,在铝膜的表面形成活性点;步骤6:对该铝膜进行第二次阳极氧化及扩孔处理,在铝膜的表面活性点处形成穿孔,得到多孔阳极氧化铝阵列芯片;步骤7:用等离子体处理该芯片表面;步骤8:将双官能团分子共价结合在该芯片表面,完成多孔阳极氧化铝生物芯片的制作。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110059461.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23429
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
韩伟静,俞育德,李运涛,等. 多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法, 多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法.
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