| 硅基延时可调光延迟线及其制作方法; 硅基延时可调光延迟线及其制作方法 |
| 李运涛; 俞育德; 余金中
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种硅基延时可调光延迟线,包括：一输入波导及一直通端,该输入波导及直通端之间通过一第一弯曲波导连接；一上载端及一下载端,该上载端及下载端之间通过一第二弯曲波导连接；一光学谐振腔,该光学谐振腔位于输入波导、直通端、上载端和下载端之间,并与输入波导、直通端、上载端和下载端形成耦合；两调谐电极,该两调谐电极分别位于第一弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧或该两调谐电极分别位于第二弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110364951.3
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23420
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李运涛,俞育德,余金中. 硅基延时可调光延迟线及其制作方法, 硅基延时可调光延迟线及其制作方法.
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