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980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法; 980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法
高卓; 王俊; 李全宁; 马骁宇
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 本发明提供一种980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一镓砷衬底;步骤2:在镓砷衬底上依次制备N型铝镓砷下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一P型上限制层、刻蚀截至层、第二P型上限制层和P型帽层;步骤3:采用光刻技术,在P型帽层的表面制备出刻蚀的掩膜图形;步骤4:在P型帽层上向下刻蚀,形成脊形波导结构,同时在脊形波导结构上面的一侧沿纵向刻蚀形成多个非周期分布的刻槽结构,刻蚀深度到达刻蚀截至层的表面,完成器件的制备。
部门归属光电子器件国家工程中心
申请日期2011-03-04
专利号CN102148478A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110051837.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23402
专题光电子器件国家工程中心
推荐引用方式
GB/T 7714
高卓,王俊,李全宁,等. 980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法, 980nm单模波长稳定半导体激光器的制备方法. CN102148478A.
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980nm单模波长稳定半导体激光器的制备(300KB) 限制开放使用许可请求全文
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