基于InGaN插入层的非极性a-plane GaN薄膜的生长及相关物理研究
李志伟
学位类型博士
导师刘祥林 ; 朱勤生
2012
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业材料物理与化学
学科领域半导体材料
公开日期2012-06-26
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23207
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李志伟. 基于InGaN插入层的非极性a-plane GaN薄膜的生长及相关物理研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2012.
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