| 一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法 | |
吕雪芹; 金鹏 ; 王占国
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法，该方法是在现有光路(2)中安装一光阑(1)，进而提高光栅外腔激光器的光学质量，特别是减小光谱线宽。本发明提供的这种提高光栅外腔激光器光学质量、特别是减小光谱线宽的方法，简单、有效，具有较强的实际应用价值。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN200910236704.8 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910236704.8 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22251 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕雪芹,金鹏,王占国. 一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法. CN200910236704.8. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200910236704.8.pdf（187KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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