制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法; 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法
王佐才; 金鹏; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法,包括如下步骤:步骤1:在具有功能区的基片上涂覆一层光刻胶;步骤2:采用普通光学套刻的方法,将各功能区间的光刻胶去除;步骤3:腐蚀或刻蚀去除光刻胶处的上金属电极、绝缘层和欧姆接触层,形成隔离带;步骤4:将基片上的光刻胶去除;步骤5:在隔离带处对基片进行离子注入;步骤6:退火,完成电学隔离。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN200910243745.X
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910243745.X
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22233
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王佐才,金鹏,王占国. 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法, 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法. CN200910243745.X.
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