| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 |
| 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强 ; 伊晓燕; 王国宏
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；步骤2：在氮化镓LED层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤3：减薄转移衬底，然后抛光；步骤4：用激光刻划方法在转移衬底的表面上刻划图形，作为光刻对准标记；步骤5：在作好光刻对准标记的转移衬底上采用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在转移衬底上面的中间形成光刻胶图形，该光刻胶图形的面积小于转移衬底的面积；步骤6：选择腐蚀液腐蚀掉未被光刻胶图形覆盖的转移衬底，使转移衬底四周形成台面；步骤7：剥离光刻胶，清洗吹干，完成转移衬底的腐蚀。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN201010251509.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010251509.5
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22135
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
汪炼成,郭恩卿,刘志强,等. 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法. CN201010251509.5.
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