SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
用于片上光互连的接收模块封装方法; 用于片上光互连的接收模块封装方法
徐海华; 肖希; 朱宇; 李运涛; 俞育德; 余金中
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30 ; 2011-08-30 ; 2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种用于片上光互连的接收模块封装方法,包括:采用电子束曝光技术将版图上的脊形波导及光栅结构转移至事先清洗过的SOI基片的顶硅层上;采用电子束光刻胶作为掩模,利用硅等离子干法刻蚀工艺刻蚀出亚微米脊形波导及光栅结构;采用沉淀二氧化硅技术在刻蚀后的图形表面覆盖一层二氧化硅绝缘层;采用普通光刻方法将版图上的金属引线及对准标记图形转移至二氧化硅绝缘层上,并利用金属蒸发工艺制作出金属引线和对准标记;采用倒装焊技术,利用SOI基片上的对准标记将光电探测器精确倒扣至SOI基片上的预定位置;利用互连金丝将光电探测器背面的接地面与SOI基片上的接地线相连;在光电探测器与SOI基片之间填充固化胶固化、密封,完成器件的封装。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN200910091959.X
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910091959.X
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22029
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
徐海华,肖希,朱宇,等. 用于片上光互连的接收模块封装方法, 用于片上光互连的接收模块封装方法. CN200910091959.X.
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