| 脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法 |
| 陈少武; 程勇鹏; 任光辉
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上旋涂一层光刻胶，利用光刻技术形成第一掩膜图形，该第一掩膜图形表面的一侧为矩形另一侧为锥形；步骤2：利用刻蚀技术将掩膜图形长方向两侧的衬底刻蚀掉，刻蚀深度小于衬底的厚度，在掩膜图形两侧形成平板区；步骤3：在衬底上再旋涂一层光刻胶，利用光刻技术在掩膜图形的矩形区及其两侧的平板区形成第二掩膜图形；步骤4：利用刻蚀技术将掩膜图形的锥形部分的两侧平板区刻蚀掉；步骤5：去掉第一及第二掩膜图形，完成器件的制作。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200910093176.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910093176.5
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22025
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
陈少武,程勇鹏,任光辉. 脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法. CN200910093176.5.
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