| 一种制作纳米压印印章的方法 | |
刘宏伟; 阚强 ; 王春霞; 陈弘达
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种制作纳米压印印章的方法，该方法通过电子束曝光在电子束胶上得到纳米图形，利用金属蒸发和电镀的方法将该纳米图形填充后转移到金属表面，然后将带有微纳结构的金属镀膜转移粘附在金属衬底上，得到可重复使用的纳米压印印章。该方法制作的金属纳米压印印章具有高硬度和良好的延展性能，同时制作成本较低，工艺实现简单，在微纳图形加工技术领域可以得到广泛应用。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 专利号 | CN201010139179.0 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010139179.0 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21947 |
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘宏伟,阚强,王春霞,等. 一种制作纳米压印印章的方法. CN201010139179.0. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010139179.0.pdf（345KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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