SiO2基Mach-Zehnder型传感芯片的制备与敏感性研究 | |
吴远大; 姜婷![]() ![]() ![]() | |
2011 | |
Source Publication | 光电子·激光
![]() |
Volume | 22Issue:2Pages:159-162 |
Contribution Rank | 中科院半导体所知识创新工程前沿方向资助项目,国家自然科学基金资助项目,国家 |
metadata_83 | 光电子研究发展中心 |
Subject Area | 光电子学 |
Indexed By | CSCD |
CSCD ID | CSCD:4146680 |
Date Available | 2011-08-04 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21472 |
Collection | 光电子研究发展中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 吴远大,姜婷,安俊明,等. SiO2基Mach-Zehnder型传感芯片的制备与敏感性研究[J]. 光电子·激光,2011,22(2):159-162. |
APA | 吴远大.,姜婷.,安俊明.,李建光.,王玥.,...&胡雄伟.(2011).SiO2基Mach-Zehnder型传感芯片的制备与敏感性研究.光电子·激光,22(2),159-162. |
MLA | 吴远大,et al."SiO2基Mach-Zehnder型传感芯片的制备与敏感性研究".光电子·激光 22.2(2011):159-162. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
SiO_2基Mach_Zehnder型传(343KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment