| Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation | |
| 阎Zhou HY (Zhou Huiying); Qu SC (Qu Shengchun); Jin P (Jin Peng); Xu B (Xu Bo); Ye XL (Ye Xiaoling); Liu JP (Liu Junpeng); Wang ZG (Wang Zhanguo) | |
| 2011 | |
| 会议名称 | 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)/14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE14) |
| 会议录名称 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 572-575 |
| 会议日期 | AUG 08-13, 2010 |
| 会议地点 | Beijing, PEOPLES R CHINA |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CPCI（ISTP） |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21435 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阎Zhou HY ,Qu SC ,Jin P ,et al. Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation[C],2011. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| Study of molecular-b（584KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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