SEMI OpenIR  > 半导体材料科学中心
4H-SiC 大功率肖特基二极管器件设计及工艺研究
吴海雷
学位类型硕士
导师孙国胜
2011
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业微电子与固体电子学
学科领域半导体器件
公开日期2011-06-01
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20713
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
吴海雷. 4H-SiC 大功率肖特基二极管器件设计及工艺研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
吴海雷硕士论文.pdf(3070KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[吴海雷]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[吴海雷]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[吴海雷]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。