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宽禁带半导体碳化硅(SiC)生长工艺及多片大面积外延技术的研究
闫果果
学位类型硕士
导师孙国胜
2011
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业微电子与固体电子学
学科领域半导体材料
公开日期2011-06-01
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20712
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
闫果果. 宽禁带半导体碳化硅(SiC)生长工艺及多片大面积外延技术的研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011.
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闫果果——宽禁带半导体碳化硅(SiC)生(2242KB) 限制开放使用许可请求全文
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