SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ti和AlN陶瓷的界面反应
岳瑞峰; 王佑祥; 陈春华; 徐传骧
1997
Source Publication西安交通大学学报
Volume31Issue:8Pages:1
Abstract采用电子束蒸发的方法在抛光的200℃AlN陶瓷衬底上淀积厚度为200nm的Ti膜,并在高真空中退火。研究了从200 ̄850℃温区内Ti与AlN的固相界面反应,给出了界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发生了三元铝化物并观测到铝化物产生与发展过程。
metadata_83西安交通大学;中科院半导体所
Subject Area半导体化学
Funding Organization国家自然科学基金,金属基复合材料国家重点实验室基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:399166
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19313
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
岳瑞峰,王佑祥,陈春华,等. Ti和AlN陶瓷的界面反应[J]. 西安交通大学学报,1997,31(8):1.
APA 岳瑞峰,王佑祥,陈春华,&徐传骧.(1997).Ti和AlN陶瓷的界面反应.西安交通大学学报,31(8),1.
MLA 岳瑞峰,et al."Ti和AlN陶瓷的界面反应".西安交通大学学报 31.8(1997):1.
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