SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究
岳瑞峰; 王佑祥; 陈春华; 徐传骧
1998
Source Publication西安交通大学学报
Volume32Issue:4Pages:9
Abstract结果表明,在淀积过程中,最初淀积的Ti与衬底表面的氧形成Ti-O键,界面区很窄;450℃退火1h后,有少量元素态Al、Si原子析出,界面区有所展宽,但变化不大;650℃退火1h后,界面发生强烈反应,有TiO和Ti-Al、Ti-Si化合物生成。850℃退火1h后,除上述反应产物外又生成了Ti_2O。
metadata_83西安交通大学电气工程学院;中科院半导体所;西安交通大学
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,金属基复合材料国家重点实验室基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:466179
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19089
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
岳瑞峰,王佑祥,陈春华,等. Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究[J]. 西安交通大学学报,1998,32(4):9.
APA 岳瑞峰,王佑祥,陈春华,&徐传骧.(1998).Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究.西安交通大学学报,32(4),9.
MLA 岳瑞峰,et al."Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究".西安交通大学学报 32.4(1998):9.
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