SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转
李国华; 朱作明; 刘南竹; 韩和相; 汪兆平; 王杰; 王迅
1999
Source Publication半导体学报
Volume20Issue:11Pages:945
Abstract测量了ZnSe,Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格的10~300K的变温光致发光谱。发现ZnSe的带隙在10K时比Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金的带隙小,而在300K时比合金的带隙大。预计ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转。在ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近。超晶格中Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se层的应变可能是反转温度变低的原因。
metadata_83中科院半导体所;复旦大学
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532607
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18867
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李国华,朱作明,刘南竹,等. 温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转[J]. 半导体学报,1999,20(11):945.
APA 李国华.,朱作明.,刘南竹.,韩和相.,汪兆平.,...&王迅.(1999).温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转.半导体学报,20(11),945.
MLA 李国华,et al."温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转".半导体学报 20.11(1999):945.
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