SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响(英文)
李成; 杨沁清; 王红杰; 王玉田; 余金中; 王启明
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:6Pages:695
Abstract利用光电流谱,结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si_(1-x)Ge/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响。由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散,退火后的二极管的截止波长有显著的减小。但是,在750-850℃范围内,波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢,而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强,这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家973计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533002
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18681
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李成,杨沁清,王红杰,等. 快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响(英文)[J]. 半导体学报,2001,22(6):695.
APA 李成,杨沁清,王红杰,王玉田,余金中,&王启明.(2001).快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响(英文).半导体学报,22(6),695.
MLA 李成,et al."快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响(英文)".半导体学报 22.6(2001):695.
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