SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱
阎研; 黄福敏; 张树霖; 朱邦芬; 尚尔轶; 范守善
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:6Pages:726
Abstract报道了用光谱的手段研究SiC纳米棒(NR)的结果。对于在实验中观察到LO模的大幅度红移及新出现的喇曼峰,认为在类似SiC NR的存在大量缺陷的极性纳米材料中,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制效应更为重要。理论计算证实了这一点,并解释了实验观察到的异常现象。
metadata_83北京大学物理系喇曼光谱实验室;中科院半导体所;清华大学物理系
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533008
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18675
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
阎研,黄福敏,张树霖,等. SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱[J]. 半导体学报,2001,22(6):726.
APA 阎研,黄福敏,张树霖,朱邦芬,尚尔轶,&范守善.(2001).SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱.半导体学报,22(6),726.
MLA 阎研,et al."SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱".半导体学报 22.6(2001):726.
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