SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
氢化非晶硅氧薄膜微结构
王永谦; 廖显伯; 刁宏伟; 程文超; 李国华; 陈长勇; 张世斌; 徐艳月; 陈维德; 孔光临
2002
Source Publication中国科学. A辑,数学
Volume32Issue:6Pages:531-537
Abstract以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸了光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧(a-SiOx:H)薄膜的微结构及键构型。研究表明,在0.52≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化程度的不同,大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分,即Si,Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2。其中的Si相以非氢化的非晶硅(a-Si)颗粒形式存在,随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在。提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构,认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2壳层所包围。随薄膜氧含量x的增加,各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:69976 28, 2989 217),基础研究国家重点发展计划(批准号:2 282 1)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1133371
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17907
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
王永谦,廖显伯,刁宏伟,等. 氢化非晶硅氧薄膜微结构[J]. 中国科学. A辑,数学,2002,32(6):531-537.
APA 王永谦.,廖显伯.,刁宏伟.,程文超.,李国华.,...&孔光临.(2002).氢化非晶硅氧薄膜微结构.中国科学. A辑,数学,32(6),531-537.
MLA 王永谦,et al."氢化非晶硅氧薄膜微结构".中国科学. A辑,数学 32.6(2002):531-537.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5000.pdf(496KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王永谦]'s Articles
[廖显伯]'s Articles
[刁宏伟]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王永谦]'s Articles
[廖显伯]'s Articles
[刁宏伟]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王永谦]'s Articles
[廖显伯]'s Articles
[刁宏伟]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.