SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究
张世斌; 廖显伯; 安龙; 杨富华; 孔光临; 王永谦; 徐艳月; 陈长勇; 刁宏伟
2002
Source Publication物理学报
Volume51Issue:8Pages:1811-1815
Abstract通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度,并保持其他的沉积参量不变,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地制备出非晶/微晶相变过渡区域的硅薄膜样品。测量了样品的室温光电导和暗电导,样品的光电性能优越,在50 mW·cm~(-2)的白光照射下,光电导和暗电导的比值达到10~6。在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析。结果表明,在我们的样品制备条件下,当H_2和SiH_4的流量比R较小时,样品表现出典型的非晶硅薄膜 的结构特性;随流量比R的增大,薄膜表现出两相结构,其中的微晶成分随氢稀释比的增大逐渐增多;用量子尺寸效应估算了两个高氢稀释样品(R > 50)中微晶粒子的平均尺寸大小为2.4 nm左右;样品的中程有序度随氢稀释程度的增加而增大。
metadata_83中科院半导体所;中国科学院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划项目(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1145882
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:21[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17899
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张世斌,廖显伯,安龙,等. 非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究[J]. 物理学报,2002,51(8):1811-1815.
APA 张世斌.,廖显伯.,安龙.,杨富华.,孔光临.,...&刁宏伟.(2002).非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究.物理学报,51(8),1811-1815.
MLA 张世斌,et al."非晶/微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究".物理学报 51.8(2002):1811-1815.
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