SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究
孙国胜; 孙艳玲; 王雷; 赵万顺; 罗木昌; 李建平; 曾一平; 林兰英
2003
Source Publication发光学报
Volume24Issue:2Pages:130-134
Abstract利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p—Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p—Si异质结的I—V,C-V特性及I—V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C-SiC/p—Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C-SiC/SiGe/p—Si异质结构的I—V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下A1电极3C-SiC/p—Si二极管的最大反向击穿电压接近100V,品质因子为1.95。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究专项经费基金(G2 683),国家863高技术研究与发展项目基金(2 1AA311 9 )资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1292125
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17729
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙国胜,孙艳玲,王雷,等. Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究[J]. 发光学报,2003,24(2):130-134.
APA 孙国胜.,孙艳玲.,王雷.,赵万顺.,罗木昌.,...&林兰英.(2003).Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究.发光学报,24(2),130-134.
MLA 孙国胜,et al."Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究".发光学报 24.2(2003):130-134.
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