SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析
胡志华; 廖显伯; 曾湘波; 徐艳月; 张世斌; 刁宏伟; 孔光临
2003
Source Publication物理学报
Volume52Issue:1Pages:217-224
Abstract运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n-型纳米硅(n+-nc-Si:H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.分析表明,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(VOC)和填充因子(FF),而电池的光谱响应或短路电流密度(JSC)对缓冲层的厚度较为敏感.对不同能带补偿(bandgap offset)的情况所进行的模拟分析表明,随着ΔEc的增大,由于界面态所带来的开路电压和填充因子的减小逐渐被消除,当ΔEc达到0.5eV左右时界面态的影响几乎完全被掩盖.界面层的其他能带结构特征对器件性能的影响还有待进一步研究.最后计算得到了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论极限效率ηmax=31.17% (AM1.5,100mW/cm2,0.40-1.10μm波段).
metadata_83中国科学院半导体研究所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1490065
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:13[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17577
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
胡志华,廖显伯,曾湘波,等. 纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析[J]. 物理学报,2003,52(1):217-224.
APA 胡志华.,廖显伯.,曾湘波.,徐艳月.,张世斌.,...&孔光临.(2003).纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析.物理学报,52(1),217-224.
MLA 胡志华,et al."纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析".物理学报 52.1(2003):217-224.
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