SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟
左然; 张红; 刘祥林
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:5Pages:977-982
Abstract对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生,上下壁面温差的加大使涡旋增大,中管进口流量的增加对涡旋产生抑制作用,内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用.得出输运过程的优化条件为:反应腔上下壁靠近,导流管水平延长,中管进口流量尽量大于内、外管流量,压强尽量低于105Pa,上下壁面温差尽量减小等.
metadata_83江苏大学能源与动力工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2034115
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17019
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
左然,张红,刘祥林. 径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟[J]. 半导体学报,2005,26(5):977-982.
APA 左然,张红,&刘祥林.(2005).径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟.半导体学报,26(5),977-982.
MLA 左然,et al."径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟".半导体学报 26.5(2005):977-982.
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