SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
(Ga,Mn)As光调制反射光谱
王志路; 孙宝权
2007
Source Publication发光学报
Volume28Issue:4Pages:557-560
Abstract室温下我们研究了稀磁半导体(Ga,Mn)As 的光调制反射(PR)光谱,观测到来自样品的Franz-Keldysh 振荡(FKO)信号.随着Mn原子浓度的增加,PR 线形展宽,但是临界点E_0和E_0+Δ_0没有明显的移动.根据FKO 振荡数据,计算得到样品表面电场强度随Mn原子掺杂浓度的增加而增强.测量到与Mn 原子掺杂相关的杂质带,其能量位置离GaAs价带边~100 meV.根据样品的表面电场强度和表面耗尽层模型,估算样品的空穴浓度为~10~(17) cm~(-3),较低的空穴浓度可能与样品具有较低的居里温度有关,或测量的PR信号来自于样品中外延层的部分耗尽区域.
metadata_83唐山师范学院,初等教育学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2854009
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16289
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
王志路,孙宝权. (Ga,Mn)As光调制反射光谱[J]. 发光学报,2007,28(4):557-560.
APA 王志路,&孙宝权.(2007).(Ga,Mn)As光调制反射光谱.发光学报,28(4),557-560.
MLA 王志路,et al."(Ga,Mn)As光调制反射光谱".发光学报 28.4(2007):557-560.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4037.pdf(428KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王志路]'s Articles
[孙宝权]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王志路]'s Articles
[孙宝权]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王志路]'s Articles
[孙宝权]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.