SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计
王青; 曹玉莲; 何国荣; 韦欣; 渠红伟; 宋国峰; 陈良惠
2008
Source Publication光电子·激光
Volume19Issue:3Pages:304-307
Abstract利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响。理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益。按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合。
metadata_83中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金重点资助项目(6 636 3 /F 4 3)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3241710
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16111
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王青,曹玉莲,何国荣,等. 高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计[J]. 光电子·激光,2008,19(3):304-307.
APA 王青.,曹玉莲.,何国荣.,韦欣.,渠红伟.,...&陈良惠.(2008).高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计.光电子·激光,19(3),304-307.
MLA 王青,et al."高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计".光电子·激光 19.3(2008):304-307.
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