SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
界面热应力对InP/Si键合质量的影响
刘志强; 王良臣; 于丽娟; 郭金霞; 伊晓燕; 王立彬; 陈宇; 马龙
2008
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume28Issue:2Pages:172-175
Abstract通过实验和理论计算,分析了InP/Si键合过程中,界面热应力的分布情况、影响键合结果的关键应力因素及退火温度的允许范围。分析结果表明,由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,为保证良好的键合质量,InP/Si键合退火温度应该在300~350℃范围内选取。具体实验验证表明,该理论计算值与实验结果相一致。最后,在300℃退火条件下,很好地实现了2inInP/Si晶片键合,红外图像显示,界面几乎没有空洞和裂隙存在,有效键合面积超过90%.
metadata_83中科院半导体研究所集成技术中心
Subject Area微电子学
Funding Organization国家高科技研究发展计划资助项目(批准号:2 3AA312 1 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3323313
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16035
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘志强,王良臣,于丽娟,等. 界面热应力对InP/Si键合质量的影响[J]. 固体电子学研究与进展,2008,28(2):172-175.
APA 刘志强.,王良臣.,于丽娟.,郭金霞.,伊晓燕.,...&马龙.(2008).界面热应力对InP/Si键合质量的影响.固体电子学研究与进展,28(2),172-175.
MLA 刘志强,et al."界面热应力对InP/Si键合质量的影响".固体电子学研究与进展 28.2(2008):172-175.
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