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| VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 | |
| 于会永; 赵有文; 占荣; 高永亮 | |
| 2008 | |
| Source Publication | 半导体学报
 |
| Volume | 29Issue:9Pages:1775-1778 |
| Abstract | 研究了垂直梯度凝固法（VGF法）生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象.对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析. |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3399096 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15949 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 于会永,赵有文,占荣,等. VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质[J]. 半导体学报,2008,29(9):1775-1778. |
| APA | 于会永,赵有文,占荣,&高永亮.(2008).VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质.半导体学报,29(9),1775-1778. |
| MLA | 于会永,et al."VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质".半导体学报 29.9(2008):1775-1778. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 3804.pdf（637KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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